SiHCl3还原工艺的关键参数探究

　　

多晶硅制备方法主要有气液沉积法、流化床法、硅烷热解法、冶金法、物理提纯法、改良西门子法等。改良西门子法由于安全性好、沉积速率高、纯度较高等优点，成为目前应用最广泛的工艺方法。SiHCl₃还原是其中一项关键技术，也是主要耗能部分。在国家提倡建设节能降耗、绿色环保型企业的背景下，如何提高SiHCl₃一次转化率和Si的沉积速率，从而提高产量和质量，降低能耗，具有重要意义。本文针对该问题探究相关参数和优化方法，结合生产实践，探究合理解决方案。

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