上称重自控径晶体生长直径突变的研究

　　

使用上称重自动控径单晶炉生长Nd:YAG晶体时,按设计的参数自动控径生长出的晶体在等径下部2/3处发生直径突变，由此引发晶体下端内部出现裂纹、包裹物等严重缺陷，影响了晶体的可用性，降低了生产效率，增加了生产成本。通过采用适当的减小晶体生长直径，降低感应加热线圈和坩埚口的相对高度，连续变转速的方法，成功解决了晶体等径生长后期直径突变的问题，对自控径生长大直径晶体具有指导意义。

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