In2O3纳米材料气敏传感器研究综述

　　

氧化铟（In2O3）具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性，是一种重要的n型半导体。氧化铟材料对氧化性气体和还原性气体都表现出良好的气敏性能，被广泛应用于半导体气体传感器。半导体气体传感器的性能，如灵敏度、选择性、稳定性、响应／恢复时间等，与气敏材料自身的理化性能、形貌、结构具有直接的关系。本文对近年来纳米结构的In2O3研究进展进行了综述，以In2O3纳米材料的制备方法以及所制备出的不同形貌结构进行分类介绍，对In2O3气敏传感器应用进行展望。

订阅方式：
①在线订阅（推荐）：www.sdchem.net.cn
②邮局订阅：邮发代号24-109

投稿方式：
①在线投稿（推荐）：www.sdchem.net.cn
　　作者只需要简单注册获得用户名和密码后，就可随时进行投稿、查稿，全程跟踪稿件的发表过程，使您的论文发表更加方便、快捷、透明、高效。
②邮箱投稿：sdhgtg@163.com sdhg@sdchem.net
　　若“在线投稿”不成功，可使用邮箱投稿，投稿邮件主题：第一作者名字/稿件题目。
投稿时请注意以下事项：
　　①文前应有中英文“题目”、“作者姓名”、“单位”、“邮编”、“摘要”、“关键词”；
　　②作者简介包括：姓名、出生年、性别、民族、籍贯或出生地、工作单位、职务或职称、学位、研究方向；
　　③论文末应附“参考文献”，执行国标GB/T7714-2005标准，“参考文献”序号应与论文中出现的顺序相符；
　　④注明作者的联系方式，包括电话、E-mail、详细的通讯地址、邮编，以便联系并邮寄杂志。
　　 　                                                                                   山东化工稿件修改细则