金辅助化学腐蚀法制备多孔硅及其性能研究

　　

近年来金属辅助化学腐蚀法制备多孔硅逐渐成为研究热点，但该方法存在金属颗粒易团聚、引入模板辅助刻蚀成本高昂等突出问题。为了优化多孔硅的制备技术，降低制备成本，本文研究了基于金颗粒辅助化学腐蚀的多孔硅制备方法。首先采用氯金酸还原法制备了粒径从18-80nm的带负电荷金颗粒，3-氨基丙基三乙氧基硅烷修饰可以使单晶硅表面带正电荷，通过静电吸附实现了金在硅基底表面均匀、独立的沉积。在含过氧化氢和氢氟酸的刻蚀液中，硅基底被蚀刻成规则的孔状，多孔硅产物膜厚在添加N,N-二甲基乙酰胺作为表面活性剂时达到44.45μm。此外,刻蚀液组成为ρ=70%(ρ= [HF])/([HF]+[H₂O₂])时多孔硅刻蚀速率达到1.23μm/min，对应的多孔硅/高氯酸钠复合含能材料爆炸光强最大，DSC放热量为1636 J/g。

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