M4R4(M=B, Al, Ga R=Bu, iBu3)异常分子结构的理论研究

　　

采用密度泛函方法，在PBE/DZP水平上，通过与化合物C₄R₄、Si₄[SiR₃]₄比较，对标题化合物的异常分子结构进行了理论研究，并计算了分子的核排斥能（PBE/6-31g**）、静电势（PBE/6-31g**）、结合能（PBE/TZP)，对关键键能进行了能量分解（PBE/TZP）。计算结果表明静电吸引作用和轨道作用是B₄R₄ ，Al₄[SiR₃]₄和Ga₄[SiR₃]₄分子存在异常分子结构主要原因。

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