响应曲面法优化偏硅酸钠碳分结晶工艺

　　

工业偏硅酸钠制备过程中，二氧化硅晶体易包裹吸附金属离子而导致纯度降低。研究采用响应曲面法优化偏硅酸钠溶液碳分结晶过程。基于Box-Behnken Design（BBD）设计，考察温度、CO₂流速、体系pH对二氧化硅纯度的影响，获得影响因素与二氧化硅纯度之间的二次数学模型，确定偏硅酸钠碳分结晶最优参数。结果表明：在温度59.3 ℃、CO₂流速207.42 mL/min、体系pH=10.40优化条件下，所得二氧化硅纯度为95.86%；试验值与模型预测值相近，表明模型可用于偏硅酸钠碳分结晶过程。

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