光刻胶树脂结构与性能技术进展

　　

摘 要：光刻工艺随集成电路的发展称为核心环节，被誉为集成电路制造这顶皇冠上最耀眼的明珠。而光刻技术离不开其辅助材料光刻胶，每一代光刻技术得到的突破都将在相应光刻胶技术上得到体现，从436 nm光刻技术到248 nm KrF光刻技术、193 nm ArF光刻技术再到EUV光刻技术等，与之相应的光刻胶也不尽相同。

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