双钙钛矿Cs2BI6(B=Ti、Zr、Hf)电子结构和光学性质的第一性原理研究

　　

钙钛矿结构一直是光伏材料研究的热点，采用密度泛函理论计算了阴离子缺陷的第IVB族基双钙钛矿的几何结构、电子结构和光学性质。发现在一定的阴离子缺陷密度下，本来是半导体的Cs2BI6价带底下穿费米面转变为导体，面心正八面体结构沿111方向出现畸变，键角由60°减小为57.8°、57°、57.1°（Ti、Zr、Hf），光吸收谱向高能端集中，说明在Cs₂BI₆中引入阴离子缺陷能够有效增强材料的导电率，并调节材料的颜色。并且通过电子态密度的计算分析了这种情况产生的原因。

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