稀土元素(La,Y)掺杂SnO电子结构和光学性质的第一性原理研究

　　

本文利用第一性原理计算研究了稀土元素（La，Y）掺杂SnO的电子结构和光学性质，计算结果表明，La，Y掺杂改变了体系的能带结构，未掺杂SnO为间接带隙半导体，La，Y掺杂后均变为直接带隙半导体。掺杂后，导带和价带均下移，费米能级进入导体，提高了体系的导电性能，实现了n型掺杂，La，Y单掺的带隙变窄，共掺体系的带隙变宽。La，Y掺杂后都提高了体系的静态介电常数，扩大了光吸收范围，并出现了新的吸收峰，提高了可见光区域的光催化性，其中共掺体系的变化最明显。La掺杂造成体系的能量损失增大，共掺体系的能量损失最小，且反射率最低，可显著提高掺杂体系的透光率。

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