氮掺杂工艺以及退火处理对直拉法单晶硅的影响

　　

随着集成电路的飞速发展，要求超大规模集成电路用硅片具有更少的晶格缺陷及更低的有害杂质含量。因此，在晶体生长和器件制造过程中，必须对缺陷进行很好的控制，缺陷在硅材料的质量控制中起着关键作用。近年来通过氮掺杂控制缺陷动力学并改变缺陷的演变已被广泛应用直拉法单晶硅中。本文以氮掺杂技术为基础，介绍了氮掺杂剂的基本性质及其与CZ硅中点缺陷的相互作用，氮掺杂对氧沉淀物、空洞的影响，以及退火处理对晶体原生颗粒、体微缺陷等的影响。

订阅方式：
①在线订阅（推荐）：www.sdchem.net.cn
②邮局订阅：邮发代号24-109

投稿方式：
①在线投稿（推荐）：www.sdchem.net.cn
　　作者只需要简单注册获得用户名和密码后，就可随时进行投稿、查稿，全程跟踪稿件的发表过程，使您的论文发表更加方便、快捷、透明、高效。
②邮箱投稿：sdhgtg@163.com sdhg@sdchem.net
　　若“在线投稿”不成功，可使用邮箱投稿，投稿邮件主题：第一作者名字/稿件题目。
投稿时请注意以下事项：
　　①文前应有中英文“题目”、“作者姓名”、“单位”、“邮编”、“摘要”、“关键词”；
　　②作者简介包括：姓名、出生年、性别、民族、籍贯或出生地、工作单位、职务或职称、学位、研究方向；
　　③论文末应附“参考文献”，执行国标GB/T7714-2005标准，“参考文献”序号应与论文中出现的顺序相符；
　　④注明作者的联系方式，包括电话、E-mail、详细的通讯地址、邮编，以便联系并邮寄杂志。
　　 　                                                                                   山东化工稿件修改细则