SnO2-MAPbI3平面异质结光电探测器的制备及性能研究

　　

SnO₂由于其高导电性、对可见光的高透过率、较大的带隙和可溶液制备等优点一直被广泛研究和应用。但是,旋涂法制备的SnO₂薄膜的浸润性较差,严重影响钙钛矿光敏层的成膜质量。采用紫外臭氧（UVO）处理改善SnO₂薄膜的表面浸润性，同时可以显著减少其表面氧空位浓度、提高钙钛矿光敏层的成膜质量。构建的SnO₂/CH₃NH₃PbI₃平面异质结光电探测器，在0.8 V偏压和光强为1.7 mW·cm^-2的490 nm光照下，获得284 mA·W^-1的响应率以及3.5×10¹⁰ cm·Hz^1/2（Jones）的探测率。

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