济南大学-陈宝龙-(001)取向TiO2薄膜水热生长机理及其忆阻性能

　　

通过氟基水热法合成出(001)取向的锐钛矿TiO₂薄膜，讨论了薄膜的生长机理和忆阻性能。水热生长结果表明，预沉积无定形种子层增加了薄膜致密度，氟离子选择吸附促使TiO₂薄膜的取向生长。薄膜的忆阻特性检测表明，(001)取向的TiO₂薄膜忆阻单元具有良好的开关特性，稳定性良好。氟基水热法制备TiO₂薄膜，设备和工艺简单，成本低，在忆阻器领域会有很好的应用潜力。

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