磁控直拉法单晶硅熔料阶段氧碳杂质传输仿真研究

　　

18英寸单晶硅熔料阶段，仅靠调节加热器功率，难以进一步降低硅熔体氧碳杂质含量，致使晶棒头部含氧量和尾部含碳量偏高。基于拉晶工艺参数和环境参数建立晶体生长二维数字化模型，模拟多场耦合下的磁控直拉法单晶炉内氧碳杂质浓度场分布，研究磁场强度、炉压和入口氩气流速三个参数作用下的炉内氧碳杂质传输情况和控制策略。仿真结果表明，外加超导磁场结合调控炉压和入口氩气流速两个气氛参数的控制策略，单晶硅熔料阶段炉内氧碳杂质含量显著降低，为实际生产中的工艺参数调节提供了仿真支撑。

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