
文章简介
g-C₃N₄基功能材料调控策略及应用进展
石墨相氮化碳(g-C₃N₄)作为低成本无金属半导体材料,在光催化、储能、电化学等领域具备巨大应用潜力,但纯相材料存在本征导电性差、光生载流子复合率高、表面活性位点不足等固有缺陷,严重限制了其实际应用转化,为此亟需系统梳理各类改性调控策略的作用机制与应用成果,为高性能材料的开发提供支撑。本研究采用系统综述的研究思路,针对异质元素掺杂、缺陷工程、形貌调控、异质结及复合材料改性四类典型改性手段,分别梳理了各类策略的调控原理,总结了不同策略在优化材料电子结构、引入活性位点、增大比表面积、促进电荷分离等方面的作用,同时整理了各策略在不同应用领域的最新研究进展,分析了各类改性手段的创新突破与应用价值。
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