多孔磷化镓表面银纳米结构制作工艺研究进展

　　

多孔半导体材料因其高比表面积和独特的量子限域效应，在光电催化、传感检测及生物医学等领域具有广阔的应用前景。磷化镓（GaP）作为一种重要的III-V族化合物半导体，通过电解可构建有序纳米孔结构，然而如何在其表面可控负载功能性银纳米结构，并建立制备工艺与微观形貌之间的构效关系，仍缺乏系统研究。本文以GaP单晶片为基底，对制备多孔GaP的各种技术进行了评述，揭示了多孔形貌随电解刻蚀参数的变化规律。并对磷化镓表面及孔道内负载银纳米的各种方法进行了比较，系统讲解了关键工艺参数对多孔形貌及银纳米结构形貌、尺寸、分布的影响规律。本文建议了多孔GaP基底的可控电解制备工艺及两种（浸泡和电镀）银纳米结构负载方法，系统阐明了“制备参数-微观结构”之间的构效关系，为银/多孔GaP复合结构在光催化、SERS传感、抗菌等领域的应用提供了材料基础和实验依据。

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